•△◆○▷▷“在具有微米级像素的模块中集成AlInGaP红光和铟InGaN绿光和蓝光LED显示器极具挑战性★☆，因为AlInGaP器件中的高表面重组速度使该材料不适用于高效的MicroLED•○▼●◁。我们的突破扩展了InGaN的发射范围○■，使得红光LED可以满足显示器的性能需求▷…•，同时具有缩放Micro LED半导体显示技术所需的晶圆尺寸的能力▽●。◆■”

　　Porotech首席执行官兼联合创始人朱同彤博士说◇△▼△☆□：△=-△▲“采用GaN基材料技术的Micro LED显示器被广泛认为是唯一一种能够提供足以满足AR要求的亮度和效率的显示器的技术△☆●•▷。■▪●▷△▲”△▼=○●★“AR眼镜有望有一天取代智能手机□▷▷▽■，因此开发先进材料以提高性能至关重要▲•△。

　　传统的红光LED主要基于磷化铝铟镓（AlInGaP）材料•□◆▷。这意味着由于载流子扩散长度大和表面重组速度高=•◆●■■，随着器件尺寸的减小▽▼•○，它们的效率会急剧下降○▲。

　　其创新的生产工艺可以生产出新型的多孔GaN半导体材料▪■•…▼▲。近日•▪■=，而Porotech指出△▽=■◇◆，剑桥大学的分立公司Porotech推出基于公司突破性的氮化镓（GaN）生产技术的首款应用于商业化Micro LED原生红光LED外延片□△=◁。该公司推出用于MicroLED应用的商业化天然红氮化铟镓（InGaN）LED外延片◁-▷▪=•。近日=★●▲！

　　Porotech表示其产品符合现有的行业标准和流程▽◁▲△▷◁，其专有技术既强大又灵活…◆▼•，足以适应不同应用的需求凯发k8国际首页□◇☆■。Porotech的原生InGaN Micro LED在10A/cm2处具有640nm的波长□•=•●，在非常小的像素和间距下★☆☆•▼▽，与常规的AlInGaP和颜色转换所得的红光相比○◆○•▲，性能得到了改善•▼□•▼◁。